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東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET

作者:博維科技 時(shí)間:2018-10-25 16:31

新器件進(jìn)一步提高電源效率

 

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)推出新系列的下一代650V功率MOSFET,用于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、太陽能(PV)功率調(diào)節(jié)器、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)和其他工業(yè)應(yīng)用。

 

 

TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件,是一款支持續(xù)漏極電流(ID)高達(dá)57A,脈沖電流(IDP)高達(dá)228A的650V器件該款新器件提供0.04Ω(0.033Ω典型值)超低漏源極導(dǎo)通電阻RDS(ON),可有效減少電源應(yīng)用中的損耗。得益于更低的電容設(shè)計(jì),該款增強(qiáng)型器件成為現(xiàn)代高速電源應(yīng)用的理想之選。.

 

關(guān)鍵性能指標(biāo)/品質(zhì)因數(shù)(FoM) – RDS(ON) x Qgd的降低使得電源效率得到提高。與上一代DTMOS IV-H器件相比,TK040N65Z的這一重要指標(biāo)提升40%,這意味著電源效率顯著提高,據(jù)測(cè)量,2.5kW PFC電路中電源效率提高大約0.36%[1]。  

 

該款新器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝,既實(shí)現(xiàn)了與舊版設(shè)計(jì)的兼容性,也適用于新項(xiàng)目。

 

為滿足市場(chǎng)需求,東芝將繼續(xù)擴(kuò)大其產(chǎn)品陣容并幫助提高電源和電源系統(tǒng)的效率。  

 

該款新器件的批量生產(chǎn)和出貨即日啟動(dòng)。

 

 

 

應(yīng)用場(chǎng)合

 

 數(shù)據(jù)中心(服務(wù)器電源等)

 

光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器 

 

不間斷電源系統(tǒng)

 

特點(diǎn)

 

 RDS(ON) × Qgd降低,支持開關(guān)電源提高效率  

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